NTT Innovative Devices二极管模块FMB

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产品介绍

IOD-FMB-18001模块是应用(yòng)超低噪声平方律检测的理(lǐ)想选择。获得的電(diàn)压灵敏度在300GHz时高达2MV/W,在1THz时高达0.2MV/W。

噪声等效功率(NEP)估计在300GHz时低至5.0pW/Hz0.5,在1THz时低至45pW/Hz 0.5。

Femi-level managed barrier(FMB)二极管模块是一种基于InP/InGaAs异质结构的超低噪声太赫兹探测器。代替肖特基势垒二极管(SBD)中的金属/半导體(tǐ)界面,在FMB二极管中使用(yòng)InGaAs/InP异质界面(势垒高度~100meV)。

此低势垒高度提供低二极管差分(fēn)電(diàn)阻(Rd)以及二极管与宽带蝴蝶结天線(xiàn)之间的良好阻抗匹配。

性能(néng)特点

异质势垒结构由n-InGaAs、未掺杂的InP和n-InP层组成。由于高掺杂n-InGaAs中的费米能(néng)级可(kě)以遠(yuǎn)高于导带边缘,这取决于载流子密度,异质界面处的势垒高度(ΦBn)可(kě)以降低到100meV或更小(xiǎo)。由于低势垒高度,FMB二极管产生约5.0pW/Hz0.5的良好NEP。

技术参数
  • 型号:IOD-FMB-18001
  • 模块配置:带运算放大器的零偏置FMB二极管
  • 天線(xiàn)类型:自带蝴蝶结天線(xiàn)
  • 透镜类型和直径:超半球形(直径10mm)
  • 太赫兹带宽:>200GHz
  • 前置放大器类型:低噪声运算放大器
  • 前置放大器带宽:20Hz-15kHz
  • 输出连接器:SMA(内螺纹)
  • 電(diàn)源:DC±5V
  • 产地:日本

噪声等效功率(NEP):

  • 5pW/sqrt(Hz)@300GHz
  • 1000GHz时為(wèi)45pW/sqrt(Hz)

電(diàn)压灵敏度:

  • 2MV/W@300GHz
  • 0.2MV/W@1000GHz
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