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产品介绍
当您需要满足高速数据通信的严格规范时，请使用(yòng)我们的850 nm光電(diàn)二极管阵列，可(kě)选择1、4或12个通道。 这些高性能(néng)、高可(kě)靠性的设备设计具有(yǒu)低電(diàn)寄生效应，ZUI大数据速率可(kě)达14 Gbps或25 Gbps。它们的特点是工作電(diàn)压低，顶部阳极和阴极配置便于集成。
性能(néng)特点
- 高响应度
- 低工作電(diàn)压
- 低電(diàn)容
- 低暗電(diàn)流
- 数据速率高达25 Gb/s
- 顶部阳极和阴极配置
- 可(kě)提供1、4（照片）和12通道阵列芯片
- 符合卤素和RoHS标准
技术参数
产地：美國(guó)
孔径：40 µm
波長(cháng)：840...860 nm
响应能(néng)力：0.55...0.65 A/W
暗電(diàn)流：max.100 pA
击穿電(diàn)压：-80 V
電(diàn)容：50...100 fF
3dB带宽：20 GHz
工作温度：-5至+90°C
储存温度：-40至+100°C
安装温度（max.10秒(miǎo)）：260°C
長(cháng)度：200...240µm
宽度：220...260µm
高度：135...165µm
产品应用(yòng)
数据通信
并行多(duō)模光纤通信
产品参数
