通过优化半导體(tǐ)芯片结构和光學(xué)参数,DILAS T-Bar架构使用(yòng)标准微光學(xué)快轴准直器(FAC)和慢轴准直器,所有(yǒu)这些都采用(yòng)自动化工艺组装,提供高光束质量和高功率。T-Bar是一种单片多(duō)发射器源,允许在每个制造步骤中处理(lǐ)多(duō)个发射器,以降低复杂性并简化制造。其结果是提高了再现性、光束质量和光纤耦合效率。
产地:美國(guó)
操作模式:脉冲
技术:固态
光谱:可(kě)调谐
波長(cháng)(FWHM):806,7nm
線(xiàn)条宽度:1.8nm
温度:25.0℃
電(diàn)流:32.7 A
中心波長(cháng)容差:±3 nm
输出功率:30 W
边坡效率:>0.80 W/A
波長(cháng)温度系数:~0.27nm/°C
数值孔径:0.22 NA
纤维芯直径:200 µm
带独立光纤头的光纤连接器:HP-SMA 905
功率转换效率:> 38%
阈值電(diàn)流(Im):< 9 A
工作電(diàn)流(Iop):< 50 A
运算電(diàn)压(Vop):<1.9 V
工作温度:+20至+30°C
储存温度:0至+55°C
推荐散热器容量:>70 W
专注领域研究 产品供应
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