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采用(yòng) D2PAK-7L (TO-263-7) 封装的 CoolSiC 1200 V、350 mΩ SiC MOSFET 基于先进的沟槽半导體(tǐ)工艺，该工艺经过优化，兼具性能(néng)和工作可(kě)靠性。CoolSiC 技术的低功率损耗与全新(xīn) 1200 V 优化 SMD 封装中的 .XT 互连技术相结合，在驱动器、充電(diàn)器和工业電(diàn)源等应用(yòng)中实现了效率和被动冷却潜力。开关损耗低，短路耐受时间為(wèi) 3 µs，完全可(kě)控的 dV/dt，基准栅极阈值電(diàn)压 VGS(th) = 4.5 V，对寄生导通具有(yǒu)坚固性，可(kě)采用(yòng) 0 V 关断栅极電(diàn)压，稳健的體(tǐ)二极管可(kě)实现硬换向，采用(yòng) .XT 互连技术，具有(yǒu)同类良好的散热性能(néng)，封装爬電(diàn)距离和间隙大于 6.1 毫米，感应引脚可(kě)优化开关性能(néng)。
效率提高
实现更高频率
提高功率密度
减少冷却工作量
降低系统复杂性和成本
SMD 封装可(kě)直接集成到印刷電(diàn)路板上，自然对流冷却，无需额外的散热片
产地：德國(guó)
封装：TO-263-7
漏源電(diàn)压VDS ：1200 V
直流漏极電(diàn)流ID TC = 25°C, Rth(j-c,max)：4.7 A
脉冲漏极電(diàn)流，tp 受 Tvjmax 限制，VGS = 18V：17 A
RDS(onTvj = 25°C, ID = 2A, VGS = 18V：350 mΩ
虚拟结温Tvj：-55 ℃ 至175 ℃
焊接温度回流焊接（MSL1，符合 JEDEC J-STD-020 标准）：260 ℃
MOSFET/ 本體(tǐ)二极管热阻，结点 - 外壳Rth(j-c）：1.8 - 2.3 K/W
热阻，结点 - 环境Rth(j-a)：62 K/W
输入電(diàn)容：196 pF
输出電(diàn)容：9 pF
反向電(diàn)容：0.94 pF
Coss储存能(néng)量：3.8 μJ
栅极总電(diàn)荷：5.9 nC
栅极至源极電(diàn)荷：1.5 nC
栅极至漏极電(diàn)荷：1.2 nC
電(diàn)动汽車(chē)充電(diàn)、工业電(diàn)机驱动和控制、光伏、不间断電(diàn)源 (UPS)
