硅对于未来太阳能(néng)電(diàn)池,半导體(tǐ)应用(yòng)的精确导電(diàn)率
硅是半导體(tǐ),在包括手机,筆(bǐ)记本電(diàn)脑和汽車(chē)電(diàn)子设备的電(diàn)子设备中无处不在。现在,美國(guó)國(guó)家标准技术研究院(NIST)的研究人员迄今為(wèi)止对硅中電(diàn)荷移动的速度进行了最敏感的测量,这是衡量硅作為(wèi)半导體(tǐ)性能(néng)的标准。他(tā)们使用(yòng)一种新(xīn)颖的方法发现了硅在科(kē)學(xué)家无法测试的任何情况下的性能(néng),特别是在超低電(diàn)荷水平下。新(xīn)的结果可(kě)能(néng)提出进一步改善半导體(tǐ)材料及其应用(yòng)的方法,包括太阳能(néng)電(diàn)池和下一代高速蜂窝网络。NIST的科(kē)學(xué)家今天在Optics Express中报告了他(tā)们的结果。