产品中心
产品分(fēn)类
产品分(fēn)类
品牌标签
品牌标签
产品介绍
获得850 nm圆形对称光束，具有(yǒu)单一纵向模式和低发散性，可(kě)有(yǒu)效耦合到50/125µm和62.5/125µm MM光纤中。我们的高速850 nm VCSEL芯片可(kě)在多(duō)种横向模式下工作，并满足高速数据通信的严格规范。这种高性能(néng)、高可(kě)靠性的设备设计具有(yǒu)低電(diàn)寄生效应，数据速率高达10 Gbps。
性能(néng)特点
- 850 nm多(duō)模发射
- 低RMS光谱宽度
- 高可(kě)靠性
- 低阈值和工作電(diàn)流
- 低電(diàn)寄生效应
- 数据速率高达10 Gb/s
- 背面阴极和顶部阳极配置
- 符合RoHS
可(kě)选功能(néng)与配件
金属引線(xiàn)框上紫外線(xiàn)胶带上的划片晶圆
夹环
Gel Pak
技术参数
产地：美國(guó)
阈值電(diàn)流：max.1.0 mA
工作電(diàn)流：5.0...6.0 mA
边坡效率：0.35...0.53 mW/mA
光输出功率：1.7...2.7 mW
工作電(diàn)压：1.9 V
差动電(diàn)阻：45...75 Ω
发射波長(cháng)：840...860 nm
光谱宽度，RMS：max.0.35 nm
光束发散：30 °
電(diàn)容：max.0.35 pF
调制带宽：min.9 GHz
上升时间：max.40 ps
下降时间：max.45 ps
相对强度噪声：max.-128 dB/Hz
波長(cháng)调谐系数：0.06 nm/K
斜率效率变化25C-85℃：-0.1%/K
热阻抗：3.0 K/mW
光输出功率：8 mW
峰值正向電(diàn)流（max.10秒(miǎo)）：12 mA
VCSEL反向電(diàn)压：5 V
工作温度：-5...+90°C
储存温度：-40...+100°C
安装温度（max.10秒(miǎo)）：260°C
产品应用(yòng)
光纤通信链路可(kě)达10 Gb/s
千兆以太网和存储區(qū)域网络
产品参数
