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产品介绍
SemiNex的半导體(tǐ)激光管是為(wèi)激光开发和客户应用(yòng)寻求先进性能(néng)的客户的好选择。这些激光芯片跨越12xx至19xx的InP波長(cháng)范围提供，并且具有(yǒu)各种功率、腔配置和波長(cháng)配置。SemiNex可(kě)以将其任何激光芯片安装在SemiNex标准封装中，或者SemiNex将与客户合作开发定制封装。SemiNex芯片的应用(yòng)包括激光雷达、军事瞄准、测距和照明。可(kě)根据要求提供自定义波長(cháng)和配置。
性能(néng)特点
- 高性价比
- 高输出功率
- 高动态范围
- 效率高
技术参数
- 产地：美國(guó)
- 波長(cháng)：1320nm（±20）
- 输出功率（CW）*：0.70瓦（±10%）
- 芯片腔長(cháng)度：2500μm
- 芯片宽度：500μm
- 发射器宽度：5μm
- 发射器高度：1μm
- 光谱宽度：15nm 3dB
- 斜坡效率：0.45W/A
- 快轴分(fēn)區(qū)：30度FWHM
- 慢轴分(fēn)區(qū)：13deg FWHM
- 功率转换效率：20%
- 阈值電(diàn)流：0.05A
- 工作電(diàn)流：1.6A
- 工作電(diàn)压：2.2V
- 重量：0.05g
- 工作温度：-40至60°C
- 储存温度：-40至80°C
产品参数
