产品中心
产品介绍
用(yòng)于产生太赫兹THz的GaSe（硒化镓）晶體(tǐ)显示出高达41 THz的大带宽。GaSe是负单轴层状半导體(tǐ)，具有(yǒu)62 m点组的六边形结构，在300 K时的直接带隙為(wèi)2.2eV。GaSe晶體(tǐ)具有(yǒu)高损伤阈值，较大的非線(xiàn)性光學(xué)系数（54 pm / V），合适的透明范围和低吸收系数，这使其成為(wèi)宽带中红外電(diàn)磁波产生的替代解决方案。由于使用(yòng)低于20 fs的激光源产生和检测宽带太赫兹，因此与使用(yòng)薄的ZnTe晶體(tǐ)相比，GaSe发射器-探测器系统的性能(néng)可(kě)达到相当甚至更好的结果。為(wèi)了实现频率选择性太赫兹波的产生和检测系统，应使用(yòng)适当厚度的GaSe晶體(tǐ)。
产品参数
GaSe晶體(tǐ)
Z切割，开裂，未镀膜
尺寸：直径7 mm
厚度：0.01 mm
由于材料结构的原因，可(kě)能(néng)仅沿（001）平面切割GaSe晶體(tǐ)
