使用(yòng)常规的光刻技术,在标准半导體(tǐ)周期中以GaAs高迁移率异质结构制造探测器。成像传感器在单个晶片上制造。该过程确保了等离子體(tǐ)检测器参数的高度均匀性和可(kě)重复性(像素到像素的偏差响应度在20%的范围内)。每个检测器单元的室温响应率高达50 kV / W,具有(yǒu)读出電(diàn)路,在10 GHz到1 THz的频率范围内的等效噪声功率為(wèi)1 nW /√Hz。该检测机制基于激发二维電(diàn)子系统中等离子體(tǐ)振荡并随后进行整流的机制。整流发生在電(diàn)子系统中产生的特殊缺陷上。
太赫兹相机是主动检测设备,需要外部THz源。提供基于IMPATT技术的太赫兹波源。所有(yǒu)的TERA系列太赫兹成像相机都使用(yòng)具有(yǒu)相同功能(néng)和空间分(fēn)辨率的相同类型的探测器。各型号之间的差异在于其传感器阵列中的像素数量及其有(yǒu)效成像區(qū)域。除了标准THz相机机型号外,还提供定制的解决方案,以满足各种配置和几何形状要求。
256像素(16 x 16阵列)
1.5毫米像素间距
NEP = 1 nW /√Hz
11.5厘米x 11.5厘米x 4.2厘米设备尺寸